Tunneling FET 에너지 밴드 다이어그램

Source-Drain간 에너지 밴드

게이트에 전압을 걸어주면 게이트쪽 에너지 밴드가 내려가게 되고

Body의 Ec와 Source의 Ev가 동일한 에너지 상태에 위치하게 되고,

그 장벽이 매우 얇아 터널링효과가 일어나

전자가 Source에서 Body의 빈 에너지 상태로 이동합니다.