Tunneling FET

 

TFET은 MOSFET에서 두 터미널을 다른 물질로 도핑해준 형태가 되며, 

게이트 전압에 의해 해당 에너지 밴드가 하강할 때, 

BTBT에 의해 Ev->Ec로 캐리어가 이동하게 되면서 전도도를 갖게 되는 소자이다. 

터널링을 가능하게 하는 조건은 게이트 전압에 의해 

변형된 에너지 밴드간의 갭이 터널링이 일어날 만큼 충분히 짧을 때 가능해진다.