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TFET은 MOSFET에서 두 터미널을 다른 물질로 도핑해준 형태가 되며,
게이트 전압에 의해 해당 에너지 밴드가 하강할 때,
BTBT에 의해 Ev->Ec로 캐리어가 이동하게 되면서 전도도를 갖게 되는 소자이다.
터널링을 가능하게 하는 조건은 게이트 전압에 의해
변형된 에너지 밴드간의 갭이 터널링이 일어날 만큼 충분히 짧을 때 가능해진다.
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